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제품 소개적외선 광전자식 센서

G8370-81 적외선 광전자식 센서 낮은 푸시 다운 리스트, 인듐갈륨비소 PIN 포토다이오드

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중국 ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd. 인증
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G8370-81 적외선 광전자식 센서 낮은 푸시 다운 리스트, 인듐갈륨비소 PIN 포토다이오드

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큰 이미지 :  G8370-81 적외선 광전자식 센서 낮은 푸시 다운 리스트, 인듐갈륨비소 PIN 포토다이오드

제품 상세 정보:
원래 장소: 일본
브랜드 이름: Hamamatsu
모델 번호: G8370-81
결제 및 배송 조건:
최소 주문 수량: 1
포장 세부 사항: 박스에서
배달 시간: 0 일
지불 조건: L/C (신용장), 인수 인도, D/P (지급도 조건), 전신환, 웨스턴 유니온, 머니그램
공급 능력: 1501년 / PC / 프리

G8370-81 적외선 광전자식 센서 낮은 푸시 다운 리스트, 인듐갈륨비소 PIN 포토다이오드

설명
감광성 영역은 있습니다: φ1.0mm 화소의 수: 1
캡슐화됩니다: 금속 캡슐화 형태는 있습니다: TO-18
냉방 모드: 비 - 냉각됩니다 분광 응답 범위는 있습니다: 0.9 1.7 μm에
강조하다:

G8370-81 적외선 광전자식 센서

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인듐갈륨비소 PIN 포토다이오드

제품 설명 :

G8370-81 인듐갈륨비소 PIN 포토다이오드 낮은 푸시 다운 리스트 (편광 의존 손실량)

특징 :

낮은 PDL (편광 의존 손실량)

인듐갈륨비소 PIN 포토다이오드 G8370-81은 1.55μm에 큰 시터 저항과 매우 저소음인 낮은 PDL (편광 의존 손실량)을 가지고 있습니다.

제품 특징

낮은 PDL (편광 의존 손실량)

● 저소음, 저암전류

● 큰 포토그래픽 영역

● 감광성 영역 : φ1 밀리미터

동등한 권력 (표준값) 2×10-14 W/ hz1/2를 퍼뜨리세요

측정 조건 TYP.TA =25 C, 광감도 : λ=λp, 암전류 : VR=1 V, 차단 주파수 : VR=1 V, RL=50 ω, -3 dB, 말단의 캐패시턴스 : VR=1 V, F =1 마하즈, 달리 언급되지 않으면

상술 :

최대 감도 사고 방식 (표준값)은 있었습니다 1.55 μm
민감도 (표준값) 1.1 실측 무게
암전류 (최대) 5 nA
차단 주파수 (표준값) 35 마하즈
접합 커패시턴스 (표준값) 90 pF
등가 잡음 전력 (표준값)을 퍼뜨리세요 2×10-14 W/ hz1/2

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연락처 세부 사항
ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.

담당자: Xu

전화 번호: 86+13352990255

회사에 직접 문의 보내기 (0 / 3000)