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제품 소개적외선 광전자식 센서

S1337-1010BQ 자외선에서 적외선까지의 정밀 광측정을 위한 실리콘 광다이오드 저역량

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S1337-1010BQ 자외선에서 적외선까지의 정밀 광측정을 위한 실리콘 광다이오드 저역량

S1337-1010BQ 자외선에서 적외선까지의 정밀 광측정을 위한 실리콘 광다이오드 저역량
S1337-1010BQ 자외선에서 적외선까지의 정밀 광측정을 위한 실리콘 광다이오드 저역량 S1337-1010BQ 자외선에서 적외선까지의 정밀 광측정을 위한 실리콘 광다이오드 저역량

큰 이미지 :  S1337-1010BQ 자외선에서 적외선까지의 정밀 광측정을 위한 실리콘 광다이오드 저역량

제품 상세 정보:
원래 장소: 일본
브랜드 이름: Hamamatsu
모델 번호: S1337-1010BQ
결제 및 배송 조건:
최소 주문 수량: 1
가격: 협상 가능
포장 세부 사항: 표준 포장
배달 시간: 0 일
지불 조건: L/C (신용장), 인수 인도, D/P (지급도 조건), 전신환, 웨스턴 유니온, 머니그램
공급 능력: 1000pcs/월

S1337-1010BQ 자외선에서 적외선까지의 정밀 광측정을 위한 실리콘 광다이오드 저역량

설명
사진 영역입니다: 10 × 10 mm 화소의 수: 1
냉장 및: 비 냉각 캡슐화됩니다: 세라믹
역전 전압 (최대): 5 V 스펙트럼 응답 범위는 190 ~ 1100입니다: 190 ~ 1100Nm
강조하다:

S1337-1010BQ

,

큰 영역 전자 사태 포토다이오드

제품 설명:

S1337-1010BQ 자외선에서 적외선까지의 정밀 광측정을 위한 실리콘 광다이오드 저역량

특징:

자외선에서 적색으로의 정확한 광학 측정에 적합합니다.

제품 특징

높은 UV 감수성: QE = 75% (λ=200 nm)

낮은 용량

측정 조건 Ta=25°C, 전형, 다른 표시가 없는 한 광감각: λ=960 nm, 암흑 전류: VR=10 mV, 상승 시간:VR=0 V, 터미널 용량: VR=0 V, f=10 kHz

사양:

피크 감수성 파장 (유형 값) 960 nm
감수성 (유형 값) 0.5A/W
암흑 전류 (최대) 200pA
상승 시간 (유형적 값) 3m
접점 용량 (유형 값)

1100pF

S1337-1010BQ 자외선에서 적외선까지의 정밀 광측정을 위한 실리콘 광다이오드 저역량 0

S1337-1010BQ 자외선에서 적외선까지의 정밀 광측정을 위한 실리콘 광다이오드 저역량 1S1337-1010BQ 자외선에서 적외선까지의 정밀 광측정을 위한 실리콘 광다이오드 저역량 2

연락처 세부 사항
ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.

담당자: Xu

전화 번호: 86+13352990255

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