제품 상세 정보:
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재료: | 갈륨은 기재를 질화처리합니다 | 광대역: | UVA+UVB+UVC 광다이오드 |
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원리: | 광전지 모드에서 작동하기 | 패키징: | TO-46 |
피험물체: | 자외선 수광 | ||
강조하다: | UV 광전 다이오드 센서 GS-AB-S,GaN 기반을 둔 UV 광전 다이오드 센서,UVA UV 광다이오드 |
제품 설명 :
GS-AB-S GaN-기반을 둔 UV 광다이오드
특징 :
광대역화 UVA+UVB+UVC 광다이오드
광전지 모드 작동
TO-46metal 주택
좋은 눈에 보이는 무분별성
높은 반응도와 저암전류
자외선 지수 모니터링, UV 방사 분량 측정, 플레임 검출
상술
매개 변수 | 기호 | 가치 | 유닛 |
최대 정격 | |||
조작 온도 범위 | 토프트 | -25-85 | 오크 |
보존온도범위 | 트스토 | -40-85 | 오크 |
납땜 온도 (3 s) | 트솔 | 260 | 오크 |
역 전압 | Vr 최대 | -10 | V |
일반적 특성 (25 oC) | |||
칩 사이즈 | A | 1 | mm2 |
암전류 (Vr = -1 V) | Id | <1> | nA |
온도 계수 (@265 nm) | Tc | 0.05 | %/ 오크 |
전기 용량 (0 V와 1 마하즈에) | Cp | 18 | pF |
스펙트럼 응답 특성 (25 oC) | |||
최대 반응도의 사고 방식 | λ P | 355 | 별거 안 해 |
(355 nm에) 최대 반응도 | Rmax | 0.20 | 실측 무게 |
분광 응답 범위 (R=0.1×Rmax) | - | 210-370 | 별거 안 해 |
자외선 가시 제거율 (Rmax / R400 nm) | - | >104 | - |
상술 :
상술 | 매개 변수 |
중심 파장 | 355NM |
광민감성 | 0.20A/W |
상승 시간 | 3US |
엑스페리먼트 조건 | 표준치, Ta=25' |
담당자: Xu
전화 번호: 86+13352990255