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제품 상세 정보:
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| 칩 크기: | 4mm2 | 패키지: | SMD 5050 |
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| 특징: | 높은 투명한 쿼츠 창, 높은 감도, 낮은 어두운 전류 | 대응 파장: | 210-370 nm |
| 강조하다: | UV 광전 다이오드 센서 가스 검출,4mm2 UV 광전 다이오드 센서,UV 포토 다이오드 |
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제품 설명:
GS-ABC-5050XLQ GaN 기반 UV 포토다이오드 광전압 모드 작동
특징:
l UVA+UVB+UVC 포토다이오드
l 광전압 모드 작동
l 석영 창이 있는 SMD 5050 세라믹 패키지
l 우수한 가시광선 차단
l 높은 응답률 및 낮은 암전류
응용 분야: UV 지수 모니터링, UV 방사선량 측정, 화염 감지 사양: 매개변수 기호 값 단위 최대 정격
작동 온도 범위 Topt -25-85 oC
보관 온도 범위 Tsto -40-85 oC
납땜 온도 (3초) Tsol 260 oC
역전압 Vr-max -10 V
일반 특성 (25 oC) 칩 크기 A 4 mm2 암전류 (Vr = -1 V) Id
<1 nA Temperature coefficient (@265 nm) Tc 0.05 %>
<1 nA Temperature coefficient (@265 nm) Tc 0.05 %>
사양:
| 최대 응답 파장 | λ p 355 nm |
| 최대 응답률 (385 nm에서) | Rmax 0.20 A/W |
| 스펙트럼 응답 범위 (R=0.1×Rmax) | 210-370 nm |
| UV-가시광선 거부율 (Rmax/R450 nm) | - >10 - |
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담당자: Xu
전화 번호: 86+13352990255