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제품 상세 정보:
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| 감광성 영역입니다: | Φ1.0mm | 화소의 수: | 1 |
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| 캡슐화됩니다: | 금속 | 캡슐화 유형입니다: | TO-18 |
| 냉방 모드: | 비 냉각 | 스펙트럼 응답 범위입니다: | 0.9 ~ 1.7 μm |
| 강조하다: | G8370-81 적외선 광전자식 센서,적외선 광전자식 센서 낮은 푸시 다운 리스트,인듐갈륨비소 PIN 포토다이오드 |
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제품 설명:
G8370-81 InGaAs PIN 광 다이오드 낮은 PDL 편광 의존성 손실
특징:
낮은 PDL (극화 의존적 손실)
InGaAs PIN 광다이오드 G8370-81는 낮은 PDL (극화 의존 손실), 큰 셔터 저항 및 1에서 매우 낮은 노이즈를 가지고 있습니다.55μm
제품 특징
낮은 PDL (극화 의존적 손실)
● 소음 이 낮고, 어두운 전류 가 낮다
● 사진 촬영 구역 이 넓다
● 광감각성 지역:φ1 mm
소음 동등 전력 (표준 값) 2×10-14W/hz1/2
측정 조건 TYP.TA =25°C, 광감각: λ=λp, 암흑 전류: VR=1 V, 절단 주파수:VR=1 V, RL=50ω, -3 dB, 터미널 용량: VR=1V, F=1MHz, 다른 내용이 없는 한
사양:
| 피크 감수성 파장 (유형적 값) 은 | 1.55 μm |
| 감수성 (유형 값) | 1.1 A/W |
| 암흑 전류 (최대) | 5 nA |
| 절단 주파수 (표준 값) | 35MHz |
| 접점 용량 (유형 값) | 90pF |
| 소음 동등 전력 (표준 값) | 2×10-14W/hz1/2 |
담당자: Xu
전화 번호: 86+13352990255
