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제품 소개적외선 광전자식 센서

YJJ G12180-010A 인디움 갈륨 아르센 PIN 광 다이오드

인증
중국 ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd. 인증
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YJJ G12180-010A 인디움 갈륨 아르센 PIN 광 다이오드

YJJ G12180-010A 인디움 갈륨 아르센 PIN 광 다이오드
YJJ G12180-010A Indium Gallium Arsenic PIN Photodiode
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큰 이미지 :  YJJ G12180-010A 인디움 갈륨 아르센 PIN 광 다이오드

제품 상세 정보:
원래 장소: 일본
브랜드 이름: HAMAMATSU
모델 번호: G12180-010A
결제 및 배송 조건:
최소 주문 수량: 1
포장 세부 사항: 제관
배달 시간: 3일이요
지불 조건: L/C, D/A, D/P, T/T, 웨스턴 유니온, 머니그램
공급 능력: 2200

YJJ G12180-010A 인디움 갈륨 아르센 PIN 광 다이오드

설명
민감한 영역입니다: φ1mm 픽셀 수입니다: 1
캡슐화: 금속 캡슐화 유형: TO-18
강조하다:

인디움 갈륨 아르센 PIN 광 다이오드

제품 설명:

G12180-010A 인디움 갈륨 아르센 PIN 광 다이오드

특징:

특이성

- 소음도 낮고 어두운 전류도 낮다

- 낮은 결합 용량

- 수신면: φ1mm

- 소음도 낮아요

수신면적 φ1.0mm

픽셀 수 1

금속 포개

패키지 카테고리 TO-18

열분 dissipated 냉각되지 않은 유형

감수성 파장 범위 0.9~1.7μm

최대 민감도 파장 (유형적 값) 1.55 μm

광감각성 (유형적 값) 1.1 A/W

암흑 전류 (최대) 4 nA

절단 주파수 (유형적 값) 60 MHz

연결 용량 (기반적) 55 pF

소음 동등 전력 (형적 값) 1.4×10-14 W/Hz1/2

측정 조건의 전형적 값 Tc = 25°C, 다른 것을 명시하지 않는 한, 감도: λ = λp, 암흑 전류: VR = 5V, 절단 주파수: VR = 5V, RL = 50Ω, -3 dB, 연결 용량: VR = 5V,f = 1MHz

사양:

쿨린 냉각되지 않은
스펙트럼 반응 범위 0.9~1.7μm
피크 파장 (유형 값) 1.55 μm
빛에 민감함 (유형적 값) 0.9A /W

YJJ G12180-010A 인디움 갈륨 아르센 PIN 광 다이오드 0

연락처 세부 사항
ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.

담당자: Miss. Xu

전화 번호: 86+13352990255

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