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제품 소개적외선 광전자식 센서

G12180-003A 적외선 광전 센서 (InGaAs PIN 포토다이오드) 레이저 모니터링 시스템용

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중국 ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd. 인증
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G12180-003A 적외선 광전 센서 (InGaAs PIN 포토다이오드) 레이저 모니터링 시스템용

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큰 이미지 :  G12180-003A 적외선 광전 센서 (InGaAs PIN 포토다이오드) 레이저 모니터링 시스템용

제품 상세 정보:
원래 장소: 일본
모델 번호: G12180-003A
결제 및 배송 조건:
최소 주문 수량: 1pcs
가격: 협상 가능
포장 세부 사항: 표준 포장
배달 시간: 5-8 일
지불 조건: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union,
공급 능력: 5000pcs

G12180-003A 적외선 광전 센서 (InGaAs PIN 포토다이오드) 레이저 모니터링 시스템용

설명
패키지 유형: -18 감광성 영역: Φ0.3mm
스펙트럼 응답 범위: 0.9 ~ 1.7 μm 피크 감도 파장 (유형): 1.55μm
광감각성 (일반적으로): 1.1 a/w 컷 - 오프 주파수 (타이핑): 600MHz
강조하다:

레이저 모니터링용 적외선 광전 센서

,

InGaAs PIN 포토다이오드 센서

,

레이저 모니터링 시스템 광전 센서

 

 

                   G12180-003A 적외선 광전 센서 (InGaAs PIN 포토다이오드) 레이저 모니터링 시스템용

 

1. 적용 분야:

  • 레이저 모니터링 시스템: 산업용 레이저 가공, 의료용 레이저 장비 및 연구용 레이저 설정에서 실시간 레이저 출력 강도 감지 및 모니터링을 가능하게 하여 안정적인 레이저 성능을 보장합니다.
  • 광 파워 미터: 광 파워 측정 장치의 핵심 감지 부품으로 사용되어, 광섬유 테스트 및 실험실 광도 측정과 같은 응용 분야에서 근적외선(NIR) 광 파워 신호를 정확하게 포착합니다.
  • 레이저 다이오드 수명 주기 테스트: 장기간 작동에도 일관된 응답성을 유지하여, 서비스 수명 동안 레이저 다이오드의 내구성과 성능 저하를 평가하는 데 적합합니다.
  • 근적외선(NIR) 광도 측정: 생화학 분석, 재료 과학 및 환경 모니터링과 같은 분야에서 NIR 광 흡수, 투과 또는 반사를 정밀하게 측정하는 데 사용됩니다.
  • 광 통신 시스템: 광섬유 통신 트랜시버에 사용되는 고속 NIR 광 신호(예: 1.3 μm 또는 1.55 μm 파장 대역)를 감지하여 통신망에서 안정적인 데이터 전송을 보장합니다.

2. 주요 특징:

  • 넓은 NIR 스펙트럼 응답: 0.9~1.7 μm의 파장 범위에서 작동하며, 광 통신, 레이저 응용 및 NIR 광도 측정의 중요 대역을 포함합니다.
  • 높은 감도: 최대 1.1 A/W의 일반적인 광 감도를 제공하여(최대 파장 ~1.55 μm), 저강도 NIR 광 신호를 정확하게 감지할 수 있습니다.
  • 낮은 암전류: 최대 0.5 nA의 암전류(역전압 VR = 5V)를 특징으로 하여 배경 노이즈를 최소화하고 정밀 측정을 위한 신호 대 잡음비(SNR)를 향상시킵니다.
  • 고속 성능: 600 MHz의 일반적인 차단 주파수를 자랑하며, 빠른 광 통신 또는 레이저 펄스 모니터링과 같은 응용 분야의 고속 신호 감지를 지원합니다.
  • 컴팩트하고 견고한 패키지: TO-18 패키지(표준, 컴팩트 금속 패키지)에 수용되어 기계적 안정성, 회로 설계에 쉬운 통합 및 표준 광 마운팅 설정과의 호환성을 보장합니다.
  • 넓은 작동 온도 범위: -40°C ~ 100°C의 온도에서 안정적으로 작동하여, 열악한 산업 환경 또는 실외 응용 분야에 적합합니다.
  • 낮은 접합 커패시턴스: 5 pF의 일반적인 접합 커패시턴스(VR = 5V)를 가져 신호 왜곡을 줄이고 고주파 성능을 향상시킵니다.
센서 유형 InGaAs PIN 포토다이오드 -
패키지 유형 TO-18 -
작동 모드 광전도 -
광감지 면적 직경 φ0.3 mm -
소자 수 1 -
냉각 방식 비냉각 -
스펙트럼 응답 범위 0.9 – 1.7 μm -
최대 감도 파장 ~1.55 μm -
광감도 일반 1.1 A/W λ = 1.55 μm, Vₐ = 5V
암전류 최대 0.5 nA Vᵣ = 5V, Tₐ = 25°C, 무광
차단 주파수 (-3dB) 일반 600 MHz Vᵣ = 5V, Rₗ = 50Ω, λ = 1.3 μm
접합 커패시턴스 일반 5 pF Vᵣ = 5V, f = 1 MHz
잡음 등가 전력 (NEP) 일반 4.2×10⁻¹⁵ W/Hz¹/² λ = 1.55 μm, Vᵣ = 5V, Tₐ = 25°C
검출도 (D*) 일반 6.3×10¹² cm·Hz¹/²/W λ = 1.55 μm, Vᵣ = 5V, Tₐ = 25°C
병렬 저항 200 – 1000 MΩ Vᵣ = 0V, Tₐ = 25°C, 무광
최대 역전압 (Vᵣₘₐₓ) 20 V Tₐ = 25°C
창 재질 붕규산 유리 -
작동 온도 범위 -40°C – 100°C -
보관 온도 범위 -55°C – 125°C -
감도 온도 계수 1.09 배/°C  

 

G12180-003A 적외선 광전 센서 (InGaAs PIN 포토다이오드) 레이저 모니터링 시스템용

 

연락처 세부 사항
ShenzhenYijiajie Electronic Co., Ltd.

담당자: Miss. Xu

전화 번호: 86+13352990255

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